Numéro de produit du fabricant:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IAUC120N06S5N017ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Description détaillée:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43
Inventaire:
8458 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978487
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IAUC120N06S5N017ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tj)
rds activé (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
95.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6952 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-43
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IAUC120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1DKR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1CT
SP003244386
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFR010PBF-BE3
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
DMP510DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH8001STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
