Numéro de produit du fabricant:
SI1025X-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1025X-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventaire:
34282 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12962154
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SOUMETTRE
SI1025X-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190mA
rds activé (max) @ id, vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
23pF @ 25V
Puissance - Max
250mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-89 (SOT-563F)
Numéro de produit de base
SI1025
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1025XT1GE3
SI1025X-T1-GE3DKR
SI1025X-T1-GE3TR
SI1025X-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI4511DY-T1-GE3
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MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
MSCSM170HRM075NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
