Numéro de produit du fabricant:
IRFU210PBF
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFU210PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
Description détaillée:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventaire:
11870 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12909760
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRFU210PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251AA
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IRFU210
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
2266-IRFU210PBF
*IRFU210PBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTR16P60P
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
IXFN44N60
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
IRFBF30STRR
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
