Numéro de produit du fabricant:
IRFBF30STRR
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFBF30STRR-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12909781
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SOUMETTRE
IRFBF30STRR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRFBF30
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540NSTRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7309
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540NSTRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBF30STRLPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
911
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBF30STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.50
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
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