IRFI614GPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFI614GPBF

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFI614GPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 2.1A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

12881607
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SOUMETTRE

IRFI614GPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
23W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
IRFI614

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
*IRFI614GPBF

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FQPF3N25
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
204011
NUMÉRO DE PIÈCE
FQPF3N25-DG
PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFI4229PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
411
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFI4229PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.90
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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