Numéro de produit du fabricant:
FQPF3N25
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF3N25-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 250 V 2.3A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
204011 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946749
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SOUMETTRE
FQPF3N25 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
170 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
27W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
700
Autres noms
FAIFSCFQPF3N25
2156-FQPF3N25
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
AUIRF1405ZL
MOSFET N-CH 55V 150A TO262
FQI27N25TU
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
STD3NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
