Numéro de produit du fabricant:
IRFD9010
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFD9010-DG
Description:
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Description détaillée:
P-Channel 50 V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventaire:
12843555
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SOUMETTRE
IRFD9010 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
500mOhm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
240 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base
IRFD9010
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
*IRFD9010
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD9010PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
312
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD9010PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
MCH6341-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH
AOI4102
MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO251A
SMP3003-DL-1EX
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
