AOI4102
Numéro de produit du fabricant:

AOI4102

Product Overview

Fabricant:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

AOI4102-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO251A
Description détaillée:
N-Channel 30 V 8A (Ta), 19A (Tc) 4.2W (Ta), 21W (Tc) Through Hole TO-251A

Inventaire:

12843560
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SOUMETTRE

AOI4102 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Ta), 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
37.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
432 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.2W (Ta), 21W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251A
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
AOI41

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,500

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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