IRFBE30L
Numéro de produit du fabricant:

IRFBE30L

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFBE30L-DG

Description:

MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventaire:

12881584
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SOUMETTRE

IRFBE30L Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IRFBE30

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
*IRFBE30L

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBF20LPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBF20LPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.04
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBE30LPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
990
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBE30LPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.08
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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