IRF9Z14PBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF9Z14PBF

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF9Z14PBF-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Description détaillée:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

4806 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12868917
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRF9Z14PBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
270 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
43W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF9Z14

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
*IRF9Z14PBF

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

IRFBC40APBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFD014PBF

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

vishay-siliconix

IRFPE50

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

vishay-siliconix

IRF730ASTRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK