Numéro de produit du fabricant:
IRFD014PBF
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFD014PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Description détaillée:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventaire:
1111 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12868933
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SOUMETTRE
IRFD014PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
310 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base
IRFD014
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
*IRFD014PBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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