Numéro de produit du fabricant:
2N7002-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7002-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Description détaillée:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Inventaire:
5188 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12905649
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SOUMETTRE
2N7002-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
2N7002
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2N7002-T1-E3TR
2N7002-T1-E3DKR
2N7002-T1-E3-DG
2N7002-T1-E3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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