Numéro de produit du fabricant:
IXFR27N80Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFR27N80Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
Description détaillée:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventaire:
12905700
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SOUMETTRE
IXFR27N80Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™, Q Class
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
300mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFR27
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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