Numéro de produit du fabricant:
2N6661JTX02
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N6661JTX02-DG
Description:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Description détaillée:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventaire:
12873273
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SOUMETTRE
2N6661JTX02 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
90 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
860mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Numéro de produit de base
2N6661
Informations supplémentaires
Forfait standard
20
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2N6661
FABRICANT
Solid State Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
6694
NUMÉRO DE PIÈCE
2N6661-DG
PRIX UNITAIRE
4.60
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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