Numéro de produit du fabricant:
2N6661
Product Overview
Fabricant:
Solid State Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N6661-DG
Description:
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Description détaillée:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventaire:
6694 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12971657
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SOUMETTRE
2N6661 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Manufacturers
Emballage
Box
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
90 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
900mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±40V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
6.25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Autres noms
2383-2N6661
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certification DIGI
Produits Connexes
APT14M120S
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
PJL9434A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
