AO4485
Numéro de produit du fabricant:

AO4485

Product Overview

Fabricant:

UMW

DiGi Electronics Numéro de pièce:

AO4485-DG

Description:

SOP-8 MOSFETS ROHS
Description détaillée:
P-Channel 40 V 10A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventaire:

2361 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13002397
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SOUMETTRE

AO4485 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
UMW
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UMW
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3000 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
4518-AO4485TR
4518-AO4485DKR
4518-AO4485CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
cambridge-gan-devices-cgd

CGD65A055S2-T07

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

vishay-siliconix

SIHK085N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

onsemi

NTMFS4C908NAT1G

TRENCH 6 30V NCH

infineon-technologies

IPT014N10N5ATMA1

TRENCH >=100V