Numéro de produit du fabricant:
SIHK085N60EF-T1GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHK085N60EF-T1GE3-DG
Description:
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Description détaillée:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12
Inventaire:
13002423
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SOUMETTRE
SIHK085N60EF-T1GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
EF
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2733 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
184W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK®10 x 12
Emballage / Caisse
8-PowerBSFN
Numéro de produit de base
SIHK085
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SIHK085N60EF-T1GE3TR
742-SIHK085N60EF-T1GE3DKR
742-SIHK085N60EF-T1GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFS4C908NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
IPT014N10N5ATMA1
TRENCH >=100V
IPTC007N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V