Numéro de produit du fabricant:
2N65G
Product Overview
Fabricant:
UMW
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N65G-DG
Description:
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Description détaillée:
N-Channel 650 V 2A (Tj) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
2453 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12991426
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SOUMETTRE
2N65G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
UMW
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UMW
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
311 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
4518-2N65GDKR
4518-2N65GCT
4518-2N65GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI2305A
20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50
1N60L
TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
AIMBG120R060M1XTMA1
SIC_DISCRETE
