Numéro de produit du fabricant:
1N60L
Product Overview
Fabricant:
UMW
DiGi Electronics Numéro de pièce:
1N60L-DG
Description:
TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1A (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
2469 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12991429
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SOUMETTRE
1N60L Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
UMW
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UMW
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
4518-1N60LCT
4518-1N60LTR
4518-1N60LDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AIMBG120R060M1XTMA1
SIC_DISCRETE
SI2328A
SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
AO3403A
SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
