Numéro de produit du fabricant:
TPH3208LD
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPH3208LD-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Inventaire:
13446877
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SOUMETTRE
TPH3208LD Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±18V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-PQFN (8x8)
Emballage / Caisse
4-PowerDFN
Informations supplémentaires
Forfait standard
60
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TPH3208LDG
FABRICANT
Transphorm
QUANTITÉ DISPONIBLE
20
NUMÉRO DE PIÈCE
TPH3208LDG-DG
PRIX UNITAIRE
8.70
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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