Numéro de produit du fabricant:
TP65H050WS
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP65H050WS-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
327 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13447512
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SOUMETTRE
TP65H050WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1000 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
119W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
TP65H050
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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