Numéro de produit du fabricant:
TP65H150LSG
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP65H150LSG-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Description détaillée:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventaire:
13211486
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SOUMETTRE
TP65H150LSG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
576 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
69W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-PQFN (8x8)
Emballage / Caisse
3-PowerDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
60
Autres noms
1707-TP65H150LSG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TP65H150G4LSG
FABRICANT
Transphorm
QUANTITÉ DISPONIBLE
2939
NUMÉRO DE PIÈCE
TP65H150G4LSG-DG
PRIX UNITAIRE
2.18
TYPE DE SUBSTITUT
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