Numéro de produit du fabricant:
TP65H150G4LSG
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP65H150G4LSG-DG
Description:
GAN FET N-CH 650V PQFN
Description détaillée:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventaire:
2939 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13275976
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TP65H150G4LSG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
Tray
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
598 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-PQFN (8x8)
Emballage / Caisse
3-PowerTDFN
Numéro de produit de base
TP65H150
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
1707-TP65H150G4LSG
1707-TP65H150G4LSGDKR
1707-TP65H150G4LSGCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TP65H150G4LSG-TR
FABRICANT
Transphorm
QUANTITÉ DISPONIBLE
2884
NUMÉRO DE PIÈCE
TP65H150G4LSG-TR-DG
PRIX UNITAIRE
2.18
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
TPH3206LSGB
GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
IPA029N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 87A TO220
IPB60R070CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
