Numéro de produit du fabricant:
TP65H050G4BS
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP65H050G4BS-DG
Description:
650 V 34 A GAN FET
Description détaillée:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
329 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001027
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TP65H050G4BS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
Tube
Série
SuperGaN®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1000 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
119W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
TP65H050
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1707-TP65H050G4BS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
G08N06S
MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
GT095N10D5
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
BUK4D38-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
