XP2N1K2EN1
Numéro de produit du fabricant:

XP2N1K2EN1

Product Overview

Fabricant:

YAGEO XSEMI

DiGi Electronics Numéro de pièce:

XP2N1K2EN1-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Description détaillée:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-723

Inventaire:

1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001041
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

XP2N1K2EN1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
XP2N1K2E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 2.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
44 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-723
Emballage / Caisse
SOT-723
Numéro de produit de base
XP2N

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
XP2N1K2EN1 Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000
Autres noms
5048-XP2N1K2EN1DKR
5048-XP2N1K2EN1TR
5048-XP2N1K2EN1CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
xsemi

XP9561GI

MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM

xsemi

XP3N1R0MT

FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK

xsemi

XP10NA1R5TL

MOSFET N-CH 100V 300A TOLL

xsemi

XP83T03GJB

MOSFET N-CH 30V 75A TO251S