Numéro de produit du fabricant:
TP65H035G4WSQA
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP65H035G4WSQA-DG
Description:
650 V 46.5 GAN FET
Description détaillée:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
293 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12968099
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SOUMETTRE
TP65H035G4WSQA Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
187W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
1707-TP65H035G4WSQA
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFS630B
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
CPH3331-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
