Numéro de produit du fabricant:
PH3120L,115
Product Overview
Fabricant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PH3120L,115-DG
Description:
NEXPERIA PH3120L - 100A, 20V, 0.
Description détaillée:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventaire:
17889 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12968120
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SOUMETTRE
PH3120L,115 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.65mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4457 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,110
Autres noms
2156-PH3120L,115-954
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
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