TPN4R203NC,L1Q
Numéro de produit du fabricant:

TPN4R203NC,L1Q

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TPN4R203NC,L1Q-DG

Description:

MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Description détaillée:
N-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Inventaire:

12890611
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SOUMETTRE

TPN4R203NC,L1Q Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1370 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta), 22W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPN4R203

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
TPN4R203NCL1QDKR
TPN4R203NCL1QCT
TPN4R203NCL1QTR
TPN4R203NC,L1Q(M

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFH8324TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
5744
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFH8324TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.26
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3008SFGQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3008SFGQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.27
TYPE DE SUBSTITUT
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