Numéro de produit du fabricant:
SSM6K341NU,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6K341NU,LF-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Description détaillée:
N-Channel 60 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventaire:
19113 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890621
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SOUMETTRE
SSM6K341NU,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
550 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-UDFNB (2x2)
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
SSM6K341
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SSM6K341NULFCT
SSM6K341NULF
SSM6K341NULF(B
SSM6K341NU,LF(B
SSM6K341NU,LF(T
SSM6K341NULFTR
SSM6K341NULFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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