Numéro de produit du fabricant:
TPN1600ANH,L1Q
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPN1600ANH,L1Q-DG
Description:
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Description détaillée:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventaire:
1395 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890201
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SOUMETTRE
TPN1600ANH,L1Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPN1600
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
TPN1600ANHL1QCT
TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANHL1QDKR
TPN1600ANHL1QTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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