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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
DMN1019UVT-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN1019UVT-7-DG
Description:
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Description détaillée:
N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Inventaire:
6295 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890219
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SOUMETTRE
DMN1019UVT-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50.4 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2588 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.73W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSOT-26
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
DMN1019
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
DMN1019UVT-7-DG
Fiches techniques
DMN1019UVT-7
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMN1019UVT-7DIDKR
DMN1019UVT-7DICT
DMN1019UVT-7DITR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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