Numéro de produit du fabricant:
SSM3K59CTB,L3F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3K59CTB,L3F-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Description détaillée:
N-Channel 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount CST3B
Inventaire:
12890195
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SOUMETTRE
SSM3K59CTB,L3F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 8V
rds activé (max) @ id, vgs
215mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
130 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3B
Emballage / Caisse
3-SMD, No Lead
Numéro de produit de base
SSM3K59
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
264-SSM3K59CTB,L3FDKR
SSM3K59CTBL3FCT
264-SSM3K59CTB,L3FCT
SSM3K59CTB,L3F(A
SSM3K59CTBL3FDKR-DG
SSM3K59CTBL3FDKR
SSM3K59CTBL3FTR-DG
264-SSM3K59CTB,L3FTR
SSM3K59CTBL3FCT-DG
SSM3K59CTBL3FTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
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TPWR8004PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
