RN1911FETE85LF
Numéro de produit du fabricant:

RN1911FETE85LF

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RN1911FETE85LF-DG

Description:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventaire:

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SOUMETTRE

RN1911FETE85LF Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
RN1911

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
RN1910,11FE Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
RN1911FE(TE85L,F)
RN1911FETE85LFCT
RN1911FETE85LFTR
RN1911FETE85LFDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
EMH4T2R
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
22408
NUMÉRO DE PIÈCE
EMH4T2R-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5215DW1T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
8150
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5215DW1T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
EMH3T2R
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
528
NUMÉRO DE PIÈCE
EMH3T2R-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
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