Numéro de produit du fabricant:
RN1901FETE85LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1901FETE85LF-DG
Description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
12891155
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SOUMETTRE
RN1901FETE85LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
4.7kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
RN1901
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
RN1901FETE85LFCT
RN1901FE(TE85L,F)
RN1901FETE85LFTR
RN1901FETE85LFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMH15,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
16000
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMH15,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
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15499
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PRIX UNITAIRE
0.05
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PRIX UNITAIRE
0.06
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PRIX UNITAIRE
0.07
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