Numéro de produit du fabricant:
RN1405,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1405,LF-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventaire:
8629 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889306
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SOUMETTRE
RN1405,LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
2.2 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-Mini
Numéro de produit de base
RN1405
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1405S,LF
RN1405SLF(D-DG
RN1405,LFDKR-DG
RN1405LFTR
RN1405SLFCT-DG
RN1405SLFDKR-DG
RN1405LF
RN1405S,LF(D
RN1405SLF(D
RN1405SLFTR
RN1405LFDKR
RN1405,LFCT
RN1405SLFTR-DG
RN1405SLFCT
RN1405SLF
RN1405LFCT
RN1405,LFDKR
RN1405SLFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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