Numéro de produit du fabricant:
RN2109ACT(TPL3)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN2109ACT(TPL3)-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventaire:
9900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889310
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SOUMETTRE
RN2109ACT(TPL3) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
80 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3
Numéro de produit de base
RN2109
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
RN2109ACT(TPL3)TR
RN2109ACT(TPL3)CT
RN2109ACT(TPL3)DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5137T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5137T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.01
TYPE DE SUBSTITUT
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