Numéro de produit du fabricant:
RN1103MFV,L3F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1103MFV,L3F-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventaire:
254 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889861
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SOUMETTRE
RN1103MFV,L3F Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
150 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-723
Ensemble d’appareils du fournisseur
VESM
Numéro de produit de base
RN1103
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFVL3FTR
RN1103MFVL3FDKR
RN1103MFVL3FCT
RN1103MFVL3F
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBC124EF3T5G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
4316
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBC124EF3T5G-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
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PRIX UNITAIRE
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