Numéro de produit du fabricant:
NSBC124EF3T5G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NSBC124EF3T5G-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123
Inventaire:
4316 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12858481
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SOUMETTRE
NSBC124EF3T5G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
254 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-1123
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-1123
Numéro de produit de base
NSBC124
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
NSBC124EF3T5GCT
2832-NSBC124EF3T5GTR
NSBC124EF3T5GDKR
2156-NSBC124EF3T5G-OS
NSBC124EF3T5G-DG
ONSONSNSBC124EF3T5G
NSBC124EF3T5GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1103MFV,L3F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
254
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1103MFV,L3F-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
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