Numéro de produit du fabricant:
2SC2713-GR,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SC2713-GR,LF-DG
Description:
TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Inventaire:
13293 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889781
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SOUMETTRE
2SC2713-GR,LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
150 mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236
Numéro de produit de base
2SC2713
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2SC2713-GRTE85LFCT-DG
2SC2713-GR(TE85L,F
2SC2713-GRLFCT
2SC2713-GRTE85LFTR-DG
2SC2713-GRTE85LFCT
2SC2713-GR,LF(B
2SC2713-GRTE85LFTR
2SC2713-GRTE85LFDKR-DG
2SC2713-GRTE85LF
2SC2713-GR (TE85L,F
2SC2713-GR,LF(T
2SC2713-GRTE85LFDKR
2SC2713-GRLFDKR
2SC2713-GRLFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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