Numéro de produit du fabricant:
2SA1869-Y(Q,M)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SA1869-Y(Q,M)-DG
Description:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
Inventaire:
12889794
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SOUMETTRE
2SA1869-Y(Q,M) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
10 W
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220NIS
Numéro de produit de base
2SA1869
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2SA1869YQM
2SA1869-Y(QM)
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA2097(TE16L1,NQ)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
72
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA2097(TE16L1,NQ)-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
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