Numéro de produit du fabricant:
TPS1101DR
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPS1101DR-DG
Description:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12816372
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SOUMETTRE
TPS1101DR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
15 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+2V, -15V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
791mW (Ta)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
TPS1101
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6375
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2121
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6375-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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