Numéro de produit du fabricant:
CSD25303W1015
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD25303W1015-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Description détaillée:
P-Channel 20 V 3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventaire:
12816402
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SOUMETTRE
CSD25303W1015 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
-
Série
NexFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
58mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
435 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-DSBGA (1x1.5)
Emballage / Caisse
6-UFBGA, DSBGA
Numéro de produit de base
CSD2530
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2156-CSD25303W1015-TITR
-296-28317-1-DG
-CSD25303W1015-NDR
296-28317-6
296-28317-2
TEXTISCSD25303W1015
296-28317-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD25304W1015
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD25304W1015-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
IRFH9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
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GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
