Numéro de produit du fabricant:
CSD18536KCS
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD18536KCS-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
122 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12814958
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SOUMETTRE
CSD18536KCS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tube
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11430 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
CSD18536
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
CSD18536KCS-DG
TEXTISCSD18536KCS
296-47185
2156-CSD18536KCS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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