Numéro de produit du fabricant:
CSD16325Q5
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD16325Q5-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventaire:
4256 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12814965
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
CSD16325Q5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
rds activé (max) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+10V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4000 pF @ 12.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
CSD16325
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
-CSD16325Q5-NDR
296-24964-1
296-24964-2
296-24964-6
-296-24964-1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
CSD25481F4T
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
IRF5800TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
