Numéro de produit du fabricant:
CSD16323Q3T
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD16323Q3T-DG
Description:
PROTOTYPE
Description détaillée:
N-Channel 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.8W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventaire:
12996156
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SOUMETTRE
CSD16323Q3T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
-
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 105A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+10V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 12.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
CSD16323
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
296-CSD16323Q3T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AOK065V65X2
MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
PSMN4R8-100YSEX
PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
R6520ENZ4C13
650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER