Numéro de produit du fabricant:
R6535ENZ4C13
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6535ENZ4C13-DG
Description:
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Description détaillée:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventaire:
571 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996280
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SOUMETTRE
R6535ENZ4C13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.21mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
379W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247G
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
R6535
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
846-R6535ENZ4C13
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
MCAC75N06YB-TP
MOSFET N-CH DFN5060
SI3134KEA-TP
N-CHANNEL MOSFET
