Numéro de produit du fabricant:
CSD13306WT
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD13306WT-DG
Description:
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Description détaillée:
N-Channel 12 V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventaire:
2085 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12818338
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SOUMETTRE
CSD13306WT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1370 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.9W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-DSBGA (1x1.5)
Emballage / Caisse
6-UFBGA, DSBGA
Numéro de produit de base
CSD13306
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
250
Autres noms
296-41134-6
TEXTISCSD13306WT
296-41134-2
2156-CSD13306WT
296-41134-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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