Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IRF8707GPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF8707GPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12818353
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF8707GPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Informations supplémentaires
Forfait standard
95
Autres noms
SP001575436
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8878
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
570614
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8878-DG
PRIX UNITAIRE
0.20
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
RXH125N03TB1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RXH125N03TB1-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6690A
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
4652
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6690A-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3016LSS-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
14193
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3016LSS-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STS10N3LH5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4575
NUMÉRO DE PIÈCE
STS10N3LH5-DG
PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPL60R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
CSD16327Q3T
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
IRF7811TR
MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
CSD16404Q5A
MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON