Numéro de produit du fabricant:
TSM900N06CH
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM900N06CH-DG
Description:
60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251S (IPAK SL)
Inventaire:
12999291
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM900N06CH Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
500 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251S (IPAK SL)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
TSM900
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
15,000
Autres noms
1801-TSM900N06CH
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM60NB190CZ
600V, 18A, SINGLE N-CHANNEL POWE
SIHB28N60EF-T5-GE3
N-CHANNEL 600V
IXFP18N65X3
DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO22