Numéro de produit du fabricant:
TSM60NB190CZ
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NB190CZ-DG
Description:
600V, 18A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150.6W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12999299
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SOUMETTRE
TSM60NB190CZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1273 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
TSM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM60NB190CZ
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP16N60N
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2766
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP16N60N-DG
PRIX UNITAIRE
3.03
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